半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227358
Publication number (International publication number)：1996070129
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】単結晶珪素を用いた場合と同等の特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜に対して、450°C以上の温度に加熱した状態で、レーザー光を照射することによって、モノドメイン領域104を形成する。この領域は、単結晶と同等と見なすことができる。そしてこの104で示される領域を用いて薄膜トランジスタの活性層106を構成することにより、単結晶珪素を用いた場合と同様の特性を有する薄膜トランジスタを得る。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜半導体を用いた半導体装置であって、前記薄膜半導体は結晶性を有しており、かつ水素またはハロゲン元素を含有し、前記半導体装置の活性層を形成する前記薄膜半導体中には結晶粒界が存在していないことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/261 , H01L 21/268 , H01L 23/15

FI (4)：

H01L 29/78 618 Z , H01L 21/26 N , H01L 23/14 C , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066825 Applicant：株式会社東芝
特開平4-373171
特開平1-276615

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