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J-GLOBAL ID：200903077298332700

p形III族窒化物半導体層及びその形成方法

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997155313
Publication number (International publication number)：1999004018
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【目的】 as-grownで低抵抗でp形のIII 族窒化物半導体層を形成する。【解決手段】 層厚を50nm以下とするIII 族窒化物半導体層を重層させて形成し、ドーピングレベルの高いエピタキシャル成長層を利用する。

Claim (excerpt)：

III 族窒化物半導体結晶の表面上に形成したp形不純物をドープしたIII 族窒化物半導体層であって、層厚を50nm以下とする複数の層の積層構造体からなることを特徴とするp形III 族窒化物半導体層。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-364012   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-142590   Applicant：株式会社日立製作所