半導体装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009076053
Publication number (International publication number)：2009152633
Application date： Mar. 26, 2009
Publication date： Jul. 09, 2009
Summary：

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にn型又はp型の不純物を添加した酸化亜鉛を含む膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上にn型又はp型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第2の導電膜を形成し、第2の導電膜を第1のエッチングによって島状にし、第1の導電膜を第2のエッチングによって島状にし、絶縁膜及び島状の第2の導電膜上に酸化亜鉛を含む半導体膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上にn型又はp型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜を第1のエッチングによって島状にし、前記第1の導電膜を第2のエッチングによって島状にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , G09F 9/30 , H01L 51/50 , H05B 33/10

FI (14)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H01L21/316 X , G02F1/1368 , G02F1/1333 505 , G09F9/30 338 , H05B33/14 A , H05B33/10

F-Term (151)：

2H090HA04 , 2H090HB03X , 2H090HB04X , 2H090HC01 , 2H090HC09 , 2H090HC18 , 2H090HD02 , 2H090JA07 , 2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JC07 , 2H090JC11 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA44 , 2H092JB56 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA35 , 2H092NA17 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA10 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FA04 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF03 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

トランジスタ構造及びその製作方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2005-501592 Applicant：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-223042 Applicant：ミノルタ株式会社
特開昭62-252973

Show all

Return to Previous Page