電流によって誘起されたスピンモーメント移行をベースとした高速かつ低電力の磁気デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006524031
Publication number (International publication number)：2008524830
Application date： Aug. 18, 2004
Publication date： Jul. 10, 2008
Summary：

本発明は、一般に、不揮発性メモリとして機能し得るようなメモリセルのための磁気的な分野に関するものである。より詳細には、本発明は、スピン分極電流を使用することによってメモリデバイス内の磁気領域の磁化方向を制御してスイッチングし得るような、高速でありかつ低消費電力の方法を開示している。磁気デバイスは、固定磁化方向を有したピン止めされた磁化層と;自由な磁化方向を有した自由磁化層と;固定磁化方向を有した読出磁化層と;を具備している。ピン止めされた磁化層と自由磁化層とは、非磁性層によって分離されており、自由磁化層と読出磁化層とは、他の磁性層によって分離されている。ピン止めされた磁化層の磁化方向と自由磁化層の磁化方向とは、一般に、同じ向きとはされない。非磁性層は、磁化層どうしの間の磁気的相互作用を最小化する。

Claim (excerpt)：

磁気デバイスであって、固定磁化方向を有した磁化ベクトルを備えたピン止めされた磁化層と; 変更可能な磁化方向を有した少なくとも1つの磁化ベクトルを備えた自由磁化層と; 前記ピン止めされた磁化層と前記自由磁化層とを空間的に分離する第1非磁性層であるとともに、この分離によって、前記ピン止めされた磁化層と前記自由磁化層との間の磁気的相互作用を最小化させるような、第1非磁性層と; 固定磁化方向を有した磁化ベクトルを備えた読出磁化層と; 前記自由磁化層と前記読出磁化層とを空間的に分離する第2非磁性層であるとともに、この分離によって、前記自由磁化層と前記読出磁化層との間の磁気的相互作用を最小化させるような、第2非磁性層と; を具備していることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (3)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 140

F-Term (25)：

4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119AA05 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD02 , 5F092AA01 , 5F092AA03 , 5F092AA04 , 5F092AB06 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB25 , 5F092BB30 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB42 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第5,695,864号明細書
米国特許第6,256,223号明細書

Cited by examiner (2)

記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-375090 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
改良された記憶密度を備えた多値MRAM
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-523033 Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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