改良された記憶密度を備えた多値MRAM

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：桑垣衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004523033
Publication number (International publication number)：2005535111
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：

多値磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス(7)において、デバイス(7)は、印加された磁界の存在下において好ましい方向に固定された磁気モーメントベクトル(20)を有する固定強磁性領域(19)と、その固定強磁性領域上に配置された非強磁性スペーサ層(24)と、その非強磁性スペーサ層上に配置された自由強磁性領域(26)であって、その自由強磁性領域内でN個の安定位置を有する自由磁気モーメントベクトル(30)が提供されるように設計された異方性を有する自由強磁性領域(26)とを含み、Nは三以上の整数であるデバイス(7)。安定位置の数Nは自由強磁性領域の形状の異方性により誘導され得るものであり、各N安定位置は固有の抵抗値を有する。

Claim (excerpt)：

抵抗を有する多値磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスであって、基板と、前記基板上に配置された第一導電線と、前記第一導電線に近接して配置された固定強磁性領域であって、その固定強磁性領域は、印加された磁界の有無に拘わらず、好ましい方向に固定された固定磁気モーメントベクトルを有する固定強磁性領域と、前記固定強磁性領域上に配置された非強磁性スペーサ層と、前記非強磁性スペーサ層上に配置された自由強磁性領域であって、その自由強磁性領域は、印加された磁界の存在下で自由に回転する自由磁気モーメントベクトルを有し、かつその自由磁気モーメントベクトルに対する三以上の安定位置を設定する異方性を有し、その三以上の安定位置は、各位置が固有の抵抗を生成するように、前記固定磁気モーメントベクトルの前記好ましい方向に対して配向されている自由強磁性領域と、前記第一導電線に対し非ゼロの角度で配置された第二導電線とを備える多値磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (5)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , G11C11/15 140 , H01L43/08 P , H01L43/08 Z

F-Term (3)：

5F083FZ10 , 5F083GA12 , 5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

磁気メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-153911 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気的に安定な磁気抵抗メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-157177 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-187070 Applicant：株式会社東芝

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