記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：園田吉隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001375090
Publication number (International publication number)：2002261352
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置と当該装置を用いた書き込みプロセス。【解決手段】本発明に基づく装置は、対応する固定層(12)と自由層(16)の磁化平面と直交する向きに磁化された磁性体層(20)からなる電子スピンの極性化手段を具備する。自由層(16)の磁化方向は、層の面又は当該面に直交する面のいずれかの面内で回転する。電磁記憶素子に適用可能である。

Claim (excerpt)：

「固定」層と称する、磁化の向きが固定された第1の磁性体層(12、62)と、「自由」層と称する、磁化の向きを変更することができる第2の磁性体層(16、66)と、固定層(12、62)と自由層(16、66)とを分離する絶縁又は半絶縁層(14、64)と、前記層の内部に、層と直交方向に電子流を流す手段(24、74、26、76)と、電子のスピンを極性化する手段とを具備する電磁装置であって、電子のスピンを極性化する手段は、自由層(16、66)の磁化平面と直交する向きに磁化されており、非磁性体導電層(18、64)によって自由層(16、66)から分離された少なくとも1つの磁気極性化層(20、70)を具備することを特徴とする電磁装置。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01F 41/26 , H01L 27/105 , G11B 5/39

FI (7)：

H01L 43/08 Z , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01F 41/26 , G11B 5/39 , H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034CA00 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

強磁性スピントンネル効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023256 Applicant：株式会社豊田中央研究所
磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-008172 Applicant：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝

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