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J-GLOBAL ID：200903077409593486

ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子

Inventor： 内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  水谷 亘
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004315502
Publication number (International publication number)：2006128438
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】ランニングコストの高い電子ビーム露光を用いることなく、μm程度のパターニング精度の技術をもちいて、1〜20nmのギャップ長さを持ち、かつ電極幅も100nm以下の、規定されたナノギャップ電極を作製する。【解決手段】基板上に、光露光によりフォトマスクのパターンを形成する工程、1回目の電極材を斜め蒸着する工程、これをリフトオフする工程、2回目の光露光を行い1回目の蒸着電極膜上に跨ったスリットパターンを作製する工程、2回目の電極材を斜め蒸着する工程及びこれをリフトオフする工程からなるギャップ電極を形成する方法において、前記スリットパターンを作製する際に、1回目の蒸着電極に対して角度α<90°でスリットパターンを作製することを特徴とするナノギャップ電極の形成方法。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

基板上に、光露光によりフォトマスクのパターンを形成する工程、1回目の電極材を斜め蒸着する工程、これをリフトオフする工程、2回目の光露光を行い1回目の蒸着電極膜上に跨ったスリットパターンを作製する工程、2回目の電極材を斜め蒸着する工程及びこれをリフトオフする工程からなるギャップ電極を形成する方法において、前記スリットパターンを作製する際に、1回目の蒸着電極に対して角度α<90°でスリットパターンを作製することを特徴とするナノギャップ電極の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/285 ,  H01L 51/05

FI (4)：

H01L21/28 E ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/285 P ,  H01L29/28

F-Term (4)：

4M104DD34 ,  4M104DD62 ,  4M104DD68 ,  4M104HH14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 電極架橋型分子素子の電極製造方法及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-045863   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-307669   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• 電極架橋型分子素子の電極製造方法及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-045863   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開平3-131041