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J-GLOBAL ID:200903077435586927

半導体加速度センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999340747
Publication number (International publication number):2001153881
Application date: Nov. 30, 1999
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】小型で感度がよく、しかも外部接続のためのワイヤとワイヤボンディングパッドの接続部の保護が可能な半導体加速度センサを提供する。【解決手段】カンチレバー4に形成されたゲージ抵抗6には、印加された加速度によるマス部5の変位によって歪み、加速度に比例した電圧が現れる。センサチップ1の上部には、カンチレバー4がマス部5と支持体16の一側辺16cを連結する連結方向(A方向)と平行方向に位置し、支持体16のマス部5を挟んで相対する2辺に形成されたアルミニウム薄膜を介して、上部ガラスキャップ2が接合される。ワイヤボンディングパッド14とワイヤ7の接続部は保護樹脂18により保護され、上部ガラスキャップ2には、ワイヤボンディングパッド14とカンチレバー4との間部に向けて垂下する垂下部17が設けられており、垂下部17の先端面には凸部24が形成されている。
Claim (excerpt):
半導体基板からなる枠状の支持体と、前記支持体の内側に設けられたマス部と、前記支持体の一側辺とマス部を連結し前記マス部の変位により撓む撓み部と、前記撓み部に形成され撓み部の撓みにより抵抗値が変化するゲージ抵抗とを備えたセンシングエレメントを有するとともに、前記センシングエレメントの両面のそれぞれに対向して前記支持体と接合され、その対向する面に凹部が形成された第1および第2のキャップを有し、第1のキャップは、前記撓み部の連結方向と平行方向に位置し前記支持体のマス部を挟んで相対する2辺に形成された金属薄膜を介して前記センシングエレメントに接合され、前記支持体上の前記一側辺には、ワイヤにより外部接続するためのワイヤボンディングパッドが設けられ、少なくとも前記ワイヤボンディングパッドとワイヤの接続部は保護樹脂により保護されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (3):
G01P 15/12 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84
FI (3):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A ,  G01P 15/08 P
F-Term (9):
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA23 ,  4M112CA34 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112FA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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