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J-GLOBAL ID：200903077469160406

熱処理装置及びその方法

Inventor：
石井 勝利

About 石井 勝利

, 
三浦 一敏

About 三浦 一敏


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000162769
Publication number (International publication number)：2001345314
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 処理室の外部に設けられた加熱部で処理ガスを予備加熱し、処理の均一性を確保しながら、プロセス温度の低温化を図ること。【解決手段】 所定の真空度に減圧された反応管2内において、N2OガスとSiH2Cl2ガスとを導入して所定のプロセス温度にてウエハ表面に成膜を行う。この際N2Oガスの導入路に加熱室51を設け、この加熱室51をヒータエレメント53により加熱し、ここにN2Oガスを通気して当該ガスを予備加熱し、このように予備加熱されたN2Oガスを反応管2に導入する。また加熱室51と反応管2との間の前記N2Oガスの導入路にオリフィス6を形成する。このようにすると、減圧プロセスにおいてもオリフィス6の圧力損失により、前記加熱室51内の圧力は前記反応管2内の圧力よりも高くなるので、加熱室51において処理ガスを高い加熱効率で予備加熱でき、プロセスの温度の低温化が図られる。
Claim (excerpt)：
真空排気手段により所定の真空度に減圧された反応容器内に被処理体を搬入すると共に、この反応容器内を所定の処理温度に加熱し、ガス導入路により反応容器内に処理ガスを供給して、被処理体に対して処理を行う熱処理装置において、前記ガス導入路に設けられ、処理ガスを反応容器に供給する前に当該処理ガスを所定温度に加熱するための加熱部と、前記加熱部と反応容器との間の前記ガス導入路に形成されたオリフィスと、を備え、オリフィスの圧力損失により、前記加熱部内の圧力を前記反応容器の圧力よりも高くした状態で、ガス導入路より加熱部内に処理ガスを供給し、これにより処理ガスを所定温度に予備加熱し、この予備加熱された処理ガスを前記反応容器に供給することを特徴とする熱処理装置。
IPC (8)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  F27B 5/16 ,  F27D 7/02 ,  F27D 7/06 ,  F27D 21/00 ,  H01L 21/22 511
FI (8)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  F27B 5/16 ,  F27D 7/02 A ,  F27D 7/06 A ,  F27D 21/00 A ,  H01L 21/22 511 S
F-Term (45)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA25 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4K056AA09 ,  4K056BA04 ,  4K061BA11 ,  4K061CA21 ,  4K061FA07 ,  4K061FA14 ,  4K061GA04 ,  4K063AA05 ,  4K063AA15 ,  4K063BA12 ,  4K063CA01 ,  4K063DA09 ,  4K063DA13 ,  4K063DA33 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC05 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EC08 ,  5F045EE07 ,  5F045EE20 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK09 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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