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J-GLOBAL ID：200903077498347779

誘電体および誘電体膜の製造方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324681
Publication number (International publication number)：1996181133
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の絶縁膜に用いる、耐熱性,吸湿性,耐プラズマ性を有する誘電体膜の低誘電率化を図り、半導体装置の製造プロセスへの適用を可能にする。【構成】 誘電体1は、誘電体基材(シリコーン,非晶質フッ素樹脂,ポリイミド,ポリパラキシリレンまたはポリアミド系化合物)2中にフラーレン3(化学的空間を有するC60またはC70)が分散されているものである。また図示はしないが、上記誘電体1からなる誘電体膜は、ポリシキロサンポリマーにフラーレンを添加して塗布液を製造する、またはアルコールを主成分とする有機溶剤にポリイミドのモノマー,非晶質フッ素樹脂のモノマーまたはポリパラキシリレンのモノマーを溶解し、それにフラーレンを添加して塗布液を製造する。次いで塗布液を基板上に引き延ばして塗布膜を形成し、それを硬化させて誘電体膜を形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体基材と、前記誘電体基材中に分散したフラーレンとからなることを特徴とする誘電体。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088749   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331690   Applicant：川崎製鉄株式会社
• フッ化炭素を含む重合体複合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241572   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション