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J-GLOBAL ID：200903077500933451

耐経年劣化特性に優れたPt基導電性被覆材料

Inventor： 梶原 正憲 ,  竹中 俊夫
Applicant, Patent owner： 財団法人理工学振興会
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004275368
Publication number (International publication number)：2006088451
Application date： Sep. 22, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】 Sn基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面で、成長速度が遅い金属間化合物が生成し、上記界面での耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。【解決手段】 Sn又はSn基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Pt-Sn系金属間化合物(主として、PtSn4及びPt3Sn17)を含む薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたPtを含むPt基導電性被覆材料。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

Sn又はSn基合金が接合された接合界面に、Pt-Sn系金属間化合物を含む薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたPt基導電性被覆材料。

IPC (3)：

B32B 15/01 ,  C22C 13/00 ,  H01L 23/50

FI (4)：

B32B15/01 E ,  C22C13/00 ,  H01L23/50 D ,  H01L23/50 V

F-Term (12)：

4F100AB21A ,  4F100AB21B ,  4F100AB24B ,  4F100AB31A ,  4F100AB31B ,  4F100BA02 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JL00 ,  4F100JM02B ,  5F067DC11 ,  5F067EA00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体チツプ実装用リードフレームとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-282608   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置試験用コンタクタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-080974   Applicant：富士通株式会社
• シート状コネクターおよびその製造方法、電気装置接続装置並びに検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-100703   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• コンタクタ、その製造方法及びコンタクタを用いた試験方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-099133   Applicant：富士通株式会社
• 積層型プローブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-330353   Applicant：有限会社清田製作所, 栗本孝子
• Pd合金系プローブピンおよびそれを用いたプローブピン装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-254911   Applicant：株式会社東芝