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J-GLOBAL ID：200903008769389896

半導体装置試験用コンタクタ及びその製造方法

Inventor：
丸山 茂幸

About 丸山 茂幸

, 
松木 浩久

About 松木 浩久


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000080974
Publication number (International publication number)：2001266983
Application date： Mar. 22, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、微細な端子を有するLSIの試験に使用されるコンタクタ及びその製造方法に関し、低コストで多数のプローブが形成可能であり、良好な耐熱性と数百回の機械的寿命を有し、且つ、高速動作試験を行うことができるコンタクタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 コンタクタ20はLSI6と配線基板8との間に配置されて、これらをコンタクト電極22により電気的に接続する。コンタクト電極22は、絶縁基板24上に設けられた導電層により形成され、半導体装置6の電極6aに接触するLSI側コンタクト片22b1と、配線基板8の電極端子8aに接触する配線基板側コンタクト片22b2と、これらを電気的に接続するリング部22aとを有する。
Claim (excerpt)：
半導体装置と試験用基板との間に配置されて、該半導体装置を該試験用基板に電気的に接続するためのコンタクタであって、絶縁基板と、該絶縁基板上に設けられた導電層により形成されたコンタクト電極とよりなり、該コンタクト電極は、前記半導体装置の電極に接触する第1のコンタクト片と、前記試験用基板の電極端子に接触する第2のコンタクト片と、該第1のコンタクト片と該第2のコンタクト片とを電気的に接続する接続部とよりなることを特徴とするコンタクタ。
IPC (7)：
H01R 12/32 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01R 11/01 ,  H01R 33/76 ,  H01R 43/00
FI (7)：
G01R 1/073 B ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 D ,  H01R 11/01 A ,  H01R 33/76 ,  H01R 43/00 H ,  H01R 9/09 A
F-Term (30)：
2G003AA00 ,  2G003AA10 ,  2G003AC01 ,  2G003AG03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG07 ,  2G003AG12 ,  2G011AA01 ,  2G011AA15 ,  2G011AB08 ,  2G011AC14 ,  2G011AC21 ,  2G011AE03 ,  2G011AE22 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD08 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106BA01 ,  4M106DD03 ,  5E024CA18 ,  5E024CB04 ,  5E051CA10 ,  5E077BB28 ,  5E077BB31 ,  5E077CC22 ,  5E077DD14 ,  5E077JJ20 ,  5E077JJ30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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