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J-GLOBAL ID:200903077504673551

高純度水素の製造方法及びその装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999136872
Publication number (International publication number):2000327302
Application date: May. 18, 1999
Publication date: Nov. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 従来技術における問題点を解決できる炭化水素の改質による高純度水素の製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】 改質触媒ベッド13を具えた少なくとも一つの改質室12と、水素ガス隔離空間16を形成するよう該改質室12に内装されて、該改質触媒ベッド13で生じた水素ガスを該水素ガス隔離空間16内へ透過させる少なくとも一つの水素ガス透過性薄膜管14と、上記改質触媒ベッド13と密接して設けられ、その内部に酸化触媒ベッド23を具えて少なくとも一部分改質触媒ベッド13により上記薄膜管14と隔離され、該薄膜管14の不透過ガスを燃焼させると共に熱を該改質室12に供給する少なくとも一つの酸化室22と、を含む装置で高純度水素を製造する。
Claim (excerpt):
炭質燃料をその触媒作用により水蒸気改質して水素ガスを生成させるための改質触媒ベッドを装入した少なくとも一つの改質室と、上記改質触媒ベッドに被覆されて水素ガス隔離空間を形成するよう上記改質室に内装され、且つ該改質触媒ベッドで生じた水素ガスを該水素ガス隔離空間内へ透過させ得る少なくとも一つの水素ガス透過性薄膜管と、上記改質触媒ベッドと密接して設けられ、内部に酸化触媒ベッドを保持して改質触媒ベッドの少なくとも一部分により上記薄膜管と隔離され、該薄膜管の不透過ガスを燃焼させると共に熱を該改質室に供給する少なくとも一つの酸化室と、を含んでなる高純度水素の製造装置。
IPC (7):
C01B 3/32 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/04 ,  B01D 71/02 500 ,  B01J 23/80 ,  C01B 3/38 ,  H01M 8/06
FI (7):
C01B 3/32 A ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/04 ,  B01D 71/02 500 ,  B01J 23/80 M ,  C01B 3/38 ,  H01M 8/06 G
F-Term (65):
4D006GA41 ,  4D006HA28 ,  4D006JA26A ,  4D006KA01 ,  4D006KA15 ,  4D006KB30 ,  4D006KE03P ,  4D006KE05P ,  4D006KE06R ,  4D006KE08P ,  4D006KE12P ,  4D006KE13P ,  4D006KE16R ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MA22 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB20 ,  4D006PB66 ,  4D006PC69 ,  4D006PC80 ,  4G040EA02 ,  4G040EA03 ,  4G040EA06 ,  4G040EB12 ,  4G040EB33 ,  4G040EB44 ,  4G040EB46 ,  4G040EC01 ,  4G040EC03 ,  4G040EC08 ,  4G069AA01 ,  4G069AA02 ,  4G069AA11 ,  4G069BA13A ,  4G069BA13B ,  4G069BA18 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC31A ,  4G069BC31B ,  4G069BC35B ,  4G069BC66A ,  4G069BC68A ,  4G069BC72A ,  4G069BC72B ,  4G069BC75A ,  4G069CC17 ,  4G069CC32 ,  4G069DA06 ,  4G069EA06 ,  4G069EA08 ,  4G069EB10 ,  5H027AA02 ,  5H027BA01 ,  5H027DD00 ,  5H027DD05 ,  5H027KK01 ,  5H027KK41
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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