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J-GLOBAL ID：200903077603227415

III族窒化物半導体膜の成長方法

Inventor： 奥村 元 ,  吉田 貞史
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997274399
Publication number (International publication number)：1999111617
Application date： Oct. 07, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【目的】 III族窒化物半導体膜を窒素ラジカルビームを用いて分子線エピタキシャル成長させる時にも、平坦な成長表面が得られるようにする。【構成】 試料基板20の表面上への III族窒化物半導体膜の成長開始時から成長完了時までの間の少なくとも任意時点にあって、シャッタ15またはバルブ16を開閉することで窒素ラジカル源12からの窒素ラジカルビームを断続する。

Claim (excerpt)：

III族元素源からの III族元素と窒素励起種を含むラジカル源からのラジカルビームとを、真空環境下で温度制御された基板表面に照射し、該基板表面上に III族窒化物半導体膜を分子線エピタキシャル成長させる III族窒化物半導体膜の成長方法であって;上記基板表面上への III族窒化物半導体膜の成長開始時から成長完了時までの間の少なくとも任意時点に、上記ラジカルビームを断続的に照射することで成長表面の平坦性を回復させる表面平坦化工程を含むこと;を特徴とする III族窒化物半導体膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-346218
  
• 窒化ガリウム系薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265835   Applicant：旭化成工業株式会社