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J-GLOBAL ID：200903077604826029

半導体装置

Inventor： 小泉 正博 ,  大貫 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050370
Publication number (International publication number)：1994268027
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、半導体素子と電極とのボンディングの際の素子の損傷を防止し、かつ素子との接合部の劣化を低減できる信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】半導体素子の活性領域14となる半導体層上のボンディングパッド13と素子外部の電極とを、板状の導電部材6によって接続する。パッド13と導電部材とは、拡散接合,ハンダ接合等を用いて行われる。【効果】パッドに応力のかからない方法によって接合することができるため素子の損傷がない。また板状の導電体を用いるので表面積が大きくなり放熱特性が向上するので、接合部にかかる熱応力が低減し劣化しにくい。

Claim (excerpt)：

半導体素子の活性領域となる半導体層の上に、素子の外部の電極と電気的に接続される少なくとも一つのボンディングパッドを有する半導体装置において、前記ボンディングパッドと素子の外部の電極とを、板状の導電性部材を用いて接続したことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-009953
  
• 電子回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243577   Applicant：エクスポルト・コントアアウセンハンデルスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング