Pat
J-GLOBAL ID：200903077679224598
光発電装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
,
Agent (1)：
西教 圭一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000358229
Publication number (International publication number)：2002164554
Application date： Nov. 24, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高純度のSi材料の使用量を軽減し、安価に実現する。【解決手段】 支持体3に形成された複数の各凹部17内に光電変換素子2をそれぞれ配置し、凹部17内面の反射光を光電変換素子2に照射する。光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のn形アモルファスSi(略称a-Si)層7の外周面上に、a-Siよりも光学的バンドギャップが広いp形アモルファスSiC(略称a-SiC)層8を被覆し、pn接合を構成する。凹部の底もしくはその周辺で、支持体の第1導体13は、光電変換素子のp形a-SiC層8に接続され、支持体の電気絶縁体15を介する第2導体14は、光電変換素子のn形a-Si層7に接続される。
Claim (excerpt)：
(a)ほぼ球状の形状を有し、第1半導体層およびそれよりも外方の第2半導体層を有し、第2半導体層の開口部から第1半導体層の一部分が露出し、第1および第2半導体層間から光起電力を出力する複数の光電変換素子と、(b)支持体であって、第1導体と第2導体との間に、電気絶縁体を介して、電気的に絶縁した状態を構成し、第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって内面が形成された複数の凹部が、隣接して形成され、各凹部内に光電変換素子が配置されて凹部の第1導体または第1導体上に形成された前記被覆層による反射光が光電変換素子に照射され、第1導体は、光電変換素子の第2半導体層に電気的に接続され、第2導体は、第1半導体層の前記露出した部分に電気的に接続される支持体とを含むことを特徴とする光発電装置。
FI (2)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 E
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051AA08
, 5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051JA09
, 5F051JA14
Cited by examiner (3)
-
特開昭61-124179
-
太陽電池の製造方法および太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-324427
Applicant：株式会社三井ハイテック
-
太陽電池の製造方法および太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-235296
Applicant：株式会社三井ハイテック
Return to Previous Page
