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J-GLOBAL ID：200903077711417751

プラズマ処理装置

Inventor：
波多野 達夫

About 波多野 達夫

, 
成嶋 健索

About 成嶋 健索


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001044255
Publication number (International publication number)：2002241946
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ処理、例えばプラズマCVD処理の膜厚の面内均一性の向上と、製品歩留りの向上を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器22内に、被処理体Wを載置する載置台を兼用する下部電極44と、上部電極26とを設け、前記両電極間に高周波電圧を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記下部電極の周縁部に、前記被処理体の外周端面よりその外側に所定の間隔を離間させてフォーカスリング66を設け、前記所定の間隔を10〜27mmの範囲内に設定するように構成する。これにより、プラズマ処理、例えばプラズマCVD処理の膜厚の面内均一性の向上と、製品歩留りの向上を図る。
Claim (excerpt)：
真空引き可能になされた処理容器内に、被処理体を載置する載置台を兼用する下部電極と、上部電極とを設け、前記両電極間に高周波電圧を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記下部電極の周縁部に、前記被処理体の外周端面よりその外側に所定の間隔を離間させてフォーカスリングを設け、前記所定の間隔を10〜27mmの範囲内に設定するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
C23C 16/509 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5)：
C23C 16/509 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
F-Term (37)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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