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J-GLOBAL ID：200903077742417997

面発光レーザ

Inventor：
清水 均

About 清水 均

, 
カシミルス・セティアグン

About カシミルス・セティアグン


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003379301
Publication number (International publication number)：2005142456
Application date： Nov. 10, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 GaInNAs系の材料を用いた長波長帯VCSELにおいて、低閾値・高出力動作・良好な温度特性と高信頼性動作を実現する。【解決手段】 半導体基板上に、複数の量子井戸層14および障壁層13、13’を含む多重量子井戸活性層4と、該多重量子井戸活性層4の上下を挟む多層膜反射鏡を有する面発光レーザにおいて、前記量子井戸層14の少なくとも一層はGax1In1-x1Ny1Asy2Sb1-y1-y2(0<x1<1、0<y1<1、0<y2<1、0<y1+y2≦1)からなり、前記障壁層の少なくとも一層はバンドギャップ波長λgが1μm以下のGaNy3Asy4Sb1-y3-y4(0<y3<0.01、0<y4<1、0<y3+y4≦1)からなり、前記多重量子井戸活性層4の少なくとも片側に近接して引張歪閉じ込め層12a、12bを有することを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、複数の量子井戸層および障壁層を含む多重量子井戸活性層と、該多重量子井戸活性層の上下を挟む多層膜反射鏡を有する面発光レーザにおいて、前記量子井戸層の少なくとも一層はGax1In1-x1Ny1Asy2Sb1-y1-y2(0<x1<1、0<y1、y2<1、0<y1+y2≦1)からなり、前記障壁層の少なくとも一層はバンドギャップ波長λgが1μm以下のGaNy3Asy4Sb1-y3-y4(0<y3<0.01、0<y4<1、0<y3+y4≦1)からなり、前記多重量子井戸活性層の少なくとも片側に近接して引張歪閉じ込め層を有することを特徴とする、面発光レーザ。
IPC (2)：
H01S5/183 ,  H01S5/343
FI (2)：
H01S5/183 ,  H01S5/343 610
F-Term (5)：
5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA18 ,  5F073CB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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