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J-GLOBAL ID：200903048516221206
半導体レーザ素子及びその作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲垣 清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001124300
Publication number (International publication number)：2002118329
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 低しきい値で、且つ、特性温度の高い長波長帯半導体レーザを提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子10は、活性層が高歪のGaxIn1-xAs1-ySby井戸層(但し、0.003≦y≦0.008)を有する単一又は多重量子井戸構造として形成されている。本半導体レーザ素子は、例えばn-GaAs(100)面基板12上に、順次、成膜された、n-GaAs(n=1×1018cm-3)バッファ層14、n-In0.49Ga0.51P(n=1×1018cm-3)クラッド層16、GaAs光閉じ込め層18、GaInAsSb単一量子井戸層を有するSQW活性層20、GaAs光閉じ込め層22、及びp-In0.49Ga0.51P(p=1×1018cm-3)クラッド層24、p-GaAs(p=3×1019cm-3)コンタクト層26の積層構造を有する。SQW活性層は、圧縮歪2.82%のGa0.61In0.39As0.9968Sb0.0032量子井戸層の一層と、GaAs障壁層とから構成され、井戸は7.3nmである。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に、光を発生する活性層と、光を閉じ込めるクラッド層とを有し、発生した光からレーザ光を得る共振器構造を備えて、基板に平行な方向にレーザ光を放射する端面出射型半導体レーザ素子、又は基板上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置され、光を発生する活性層とを有し、発生した光からレーザ光を得る共振器構造を備えて、基板に直交する方向にレーザ光を放射する面発光型半導体レーザ素子において、上記活性層が、III 族中のIn組成が30%以上のGaxIn1-xAs1-ySby井戸層(0.003≦y≦0.008)を有する単一又は多重量子井戸構造として形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (9)：
5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CA20
, 5F073DA16
, 5F073EA23
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