面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法および面発光型半導体レーザアレイおよび光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001284632
Publication number (International publication number)：2003101140
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】総厚を増加させることなく、作製が容易で、信頼性に優れた面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の活性層2を含む活性領域3と、レーザ光を得るために活性層2の上部および下部に設けられた上部反射鏡4および下部反射鏡5を含む共振器構造を有しており、下部反射鏡5は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、半導体分布ブラッグ反射鏡の屈折率が小さい層はAl<SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)からなり、半導体分布ブラッグ反射鏡の屈折率が大きい層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)からなり、また、活性層2と下部反射鏡5との間には非発光再結合防止層6が設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の活性層を含む活性領域と、レーザ光を得るために活性層の上部および下部に設けられた上部反射鏡および下部反射鏡を含む共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、該半導体分布ブラッグ反射鏡の屈折率が小さい層はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)からなり、半導体分布ブラッグ反射鏡の屈折率が大きい層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)からなり、また、前記活性層と前記下部反射鏡との間には、非発光再結合防止層が設けられていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/183 , H04B 10/02 , H04B 10/28

FI (2)：

H01S 5/183 , H04B 9/00 W

F-Term (14)：

5F073AA51 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073BA01 , 5F073BA04 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073EA15 , 5F073EA28 , 5K002BA13 , 5K002BA15 , 5K002FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-305166 Applicant：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-049834 Applicant：株式会社リコー
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-283422 Applicant：株式会社リコー

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