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J-GLOBAL ID：200903077776880882

ダイヤモンドウエハのチップ化方法

Inventor： 藤井 知 ,  後藤 登 ,  上村 智喜 ,  坂 俊明 ,  板倉 克裕
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000279761
Publication number (International publication number)：2002093751
Application date： Sep. 14, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板と、気相合成ダイヤモンド薄膜と、素子からなるダイヤモンドウエハを、素子に熱損傷や熱分解した加工屑での性能低下を与えることなく、チップ化する方法を提供する。【解決手段】 YAG、CO2、エキシマレーザ等の高出力レーザにより、気相合成ダイヤモンド薄膜2にその膜厚の1/100〜1.5倍の深さの第一の溝6を加工した後、そのレーザ加工による熱分解部の加工屑の清浄をプラズマを用いて実施する。そして、ダイシングにより、基板1に前記第一の溝6に合わせて第二の溝9を加工し、ダイヤモンドウエハ4に応力を加え各チップ10に分離する。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板上に形成された多結晶若しくは単結晶の気相合成ダイヤモンド薄膜と、その気相合成ダイヤモンド薄膜上に形成された複数の素子からなるダイヤモンドウエハを、基板ごと一素子毎に切断してチップ化するダイヤモンドウエハのチップ化方法において、レーザ加工により前記気相合成ダイヤモンド薄膜にその膜厚の1/100〜1.5倍の深さの第一の溝を加工する工程と、プラズマにより前記レーザ加工による熱分解部の清浄を実施する工程と、ダイヤモンドブレードによるカッティングにより前記第一の溝に合わせて前記基板に第二の溝を加工する工程と、その後ダイヤモンドウエハに応力を加え各チップに分離するブレーキング工程とからなることを特徴とするダイヤモンドウエハのチップ化方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H01C 17/06

FI (5)：

H01C 17/06 V ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 V

F-Term (3)：

5E032CA01 ,  5E032CC03 ,  5E032CC18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンドウェハのチップ化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-182713   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭60-167351
  
• 有機薄膜多層配線基板の切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-179723   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭62-224487