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J-GLOBAL ID：200903077777846769

不良検査方法および装置

Inventor： 富松 聡 ,  長谷川 剛 ,  細木 茂行 ,  荒川 史子 ,  朝山 匡一郎 ,  三井 泰裕 ,  中原 仁 ,  川浪 義実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141353
Publication number (International publication number)：1997326425
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 微細構造を持つデバイスの局所的な電気特性を測定し、不良を検出する。【解決手段】 走査型電子顕微鏡で観察しながら、探針移動制御回路18による制御で、探針移動機構14、15、16、17により、鋭利な先端を有する複数の探針1、2、3、4を、それぞれ試料電極5、6、7、8に接触電流が飽和するまで接近させ、確実に接触させる。測定に用いるすべての探針の接触が完了したら、電気特性測定回路19により探針間の電流電圧特性を測定し、素子の局所的電気特性を得る。【効果】 素子の局所的位置を直接探針であたることができるため、不良位置同定が容易となる。

Claim (excerpt)：

真空容器と、該真空容器に探針と該探針移動機構と、試料を載置する試料台と、荷電粒子源と、該荷電粒子源からのビームを照射する照射手段と、試料からの荷電粒子を検出する検出器と、該探針と試料間、または該探針間に電圧印加をする手段と、試料の電気特性を測定する手段を有する不良検査装置。

IPC (9)：

H01L 21/66 ,  G01B 7/34 ,  G01N 37/00 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/302 ,  G01R 31/319 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (10)：

H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 C ,  G01B 7/34 Z ,  G01N 37/00 A ,  G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/304 341 D ,  G01R 31/28 L ,  G01R 31/28 R ,  H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227947   Applicant：富士通株式会社
• 半導体評価解析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-194145   Applicant：三菱電機株式会社