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J-GLOBAL ID:200903077779338086

絶縁膜および絶縁膜形成用塗布液

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996263155
Publication number (International publication number):1998102003
Application date: Oct. 03, 1996
Publication date: Apr. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、金属配線上に直接形成可能な、絶縁抵抗が高く比誘電率の低い、半導体装置用層間絶縁膜を提供するものである。【解決手段】 M-O-M結合(MはB,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)を有する無機ポリマー骨格中のMの一部をSi(R1)n -(R1 はアルキル基、n=1〜3)で置換した絶縁膜とする。この絶縁膜はSiに結合しているアルキル基のために低誘電率である。また、B,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素の金属アルコキシドは反応性が高く、アルキルアルコキシシランの重縮合反応を促進するので、形成された膜に残存するシラノール基を著しく低減させ、高い絶縁性を確保できる。
Claim (excerpt):
M-O-M結合(MはB,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)を有する無機ポリマー骨格中のMの一部をSi(R1)n -(R1 はアルキル基、n=1〜3)で置換した絶縁膜。
IPC (6):
C09D185/00 ,  C08G 77/398 ,  C08G 79/00 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (6):
C09D185/00 ,  C08G 77/398 ,  C08G 79/00 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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