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J-GLOBAL ID：200903077783821891

半導体装置不良解析システム

Inventor：
石原 和子

About 石原 和子

, 
石川 誠二

About 石川 誠二

, 
中里 純

About 中里 純


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253772
Publication number (International publication number)：1996124977
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置のフェイルビットを容易かつ高精度かつ高速に究明する半導体装置の不良解析システムを提供する。【構成】 検査データ解析システム101は、製造ライン111で異物検査102、外観検査103から得られるデータと、ウェハ最終検査112で得られるデータと、FB解析システム105からのデータとを基に解析を行う。FB解析システム105は、ウェハ最終検査112で得られるデータとLSI設計情報107を用いて、FBの分布形状から不良箇所および不良誘発点を抽出し、不良原因ノウハウ情報108を参照して不良原因の推定113を行う。観察装置109は、FB解析システム105から渡された不良箇所および不良誘発点箇所の座標を観察し、不良原因および不良工程を特定する。分析装置110は、観察装置109で検出した異物等の成分分析を行い、不良原因および不良工程を特定する。
Claim (excerpt)：
半導体装置についての検査データに基づいて、半導体装置の不良解析を行なうための不良解析システムにおいて、半導体装置についての検査データから不良情報を収集する手段と、収集した半導体装置の不良情報を、当該半導体装置における物理的な位置情報と対応づける不良情報-位置情報対応付け手段と、上記位置情報と対応づけられた不良情報について、不良情報の位置的分布が予め定めた分布パターンのいずれに該当するかを判定する分類手段と、分類された不良情報について、当該分類パターンごとに予め定めた圧縮基準に従って圧縮する圧縮手段と、圧縮された不良情報を、その不良情報の出所源である半導体装置を特定する情報と共に記憶する記憶手段と、圧縮されている不良情報を、半導体装置ごとに読みだして、図形情報に変換する手段と、変換された図形情報を表示する表示手段とを備えることを特徴とする半導体装置不良解析システム。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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