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J-GLOBAL ID：200903077857724621

シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 山本 憲治 ,  多和田 裕子
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058172
Publication number (International publication number)：2000261011
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】増大した開放端電圧を示し、もって改善された光電変換特性を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】透明前面電極膜(12)と、一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット(13)と、透明裏面導電膜(14)と、裏面金属電極膜(15)とを備える。透明裏面導電膜(14)は、光電変換ユニット(13)側から順に、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する高抵抗透明導電性酸化物層(141)と、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する低抵抗透明導電性酸化物層(142)を含む。

Claim (excerpt)：

透明前面電極膜と、一導電型層、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層および逆導電型層を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、透明裏面導電膜と、裏面金属電極膜とを備え、前記透明裏面導電膜は、前記光電変換ユニット側から順に、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する高抵抗透明導電性酸化物層と、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する低抵抗透明導電性酸化物層を含むことを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

F-Term (19)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051CA02 ,  5F051CA04 ,  5F051CA16 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA09 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242509   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349593   Applicant：キヤノン株式会社