半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161250
Publication number (International publication number)：1999008239
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】下地に形成されている材料や構造に対して悪影響を与えることなく、所望の特性を有する薄膜を形成することを可能とする。【解決手段】ダミー基板11上にフッ素添加ガラス膜12を形成し、これに予め熱処理を施しておく。これを配線層14等が形成された基板上に貼り付けた後、ダミー基板11を除去する。その後に行われる熱処理の処理温度は、前記熱処理の処理温度を越えない範囲に設定される。

Claim (excerpt)：

予め熱的処理又は化学的処理の少なくとも一方を施すことにより所望の特性を付与した固体物を半導体素子を形成するための基板の表面に被着して薄膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 21/02

FI (3)：

H01L 21/316 Z , H01L 27/10 451 , H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体部材及び半導体部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-194138 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118584 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平4-148525

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