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J-GLOBAL ID：200903078067548994

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 池上 隆俊 ,  本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  廣山 良治 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一 ,  山口 隆夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994089856
Publication number (International publication number)：1995297483
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 駆動電流が低く、かつ垂直方向の光の閉じ込めが強められた半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 S-MQW活性層4との屈折率差を大きくして垂直方向の光の閉じ込めを強くするために、クラッド層平坦部51となるp-第1クラッド層5a,5bにおけるAl組成xを0.6≦x≦1に設定する。また、キャリア濃度を高くして抵抗を低くするために、クラッド層リッジ部52となるp-第2クラッド層5cにおけるAl組成xを0<x<0.6に設定する。

Claim (excerpt)：

活性層上にクラッド層が積層されてなる半導体レーザ装置において、前記活性層との界面近傍の領域において前記活性層との屈折率差が大きくなりかつ前記クラッド層の残りの領域においてキャリア濃度が高くなるように前記クラッド層の組成が設定されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 可視光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-126951   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-142093
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-058943   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-058780   Applicant：株式会社東芝