AlN単結晶膜の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006024940
Publication number (International publication number)：2006321705
Application date： Feb. 01, 2006
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：

【課題】結晶品質が良くかつ表面平坦性の優れたAlN単結晶膜の形成方法を提供する。【解決手段】サファイア基材上に、AlN単結晶による成長下地層をMOCVD法により(0002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下で、かつその表面を原子レベルで平坦となるように形成する。つづいて、前記成長下地層上に、HVPE法により、1100°C以上の形成温度T(°C)に対してA≦0.3T-330なる関係を満たすように、形成速度A(μm/hr)を制御しながらAlNの単結晶膜を形成する。形成速度の制御は、例えばAl原料ガスの供給量を調整することによりおこなう。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

HVPE法によりAlNの単結晶膜を作製する方法であって、所定の単結晶基材の主面上に形成されたAlN単結晶による下地層の上に、 AlN膜の形成温度をT(°C)とし、形成速度をA(μm/hr)とするときに、 A≦0.3T-330 をみたすように前記形成速度を制御しつつAlN膜を形成する、ことを特徴とするAlN単結晶膜の作製方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C30B 25/16 , C23C 16/52 , C23C 16/34

FI (4)：

C30B29/38 C , C30B25/16 , C23C16/52 , C23C16/34

F-Term (27)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB05 , 4G077DB06 , 4G077EA06 , 4G077EF03 , 4G077EH01 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TB03 , 4G077TB04 , 4G077TC13 , 4G077TJ02 , 4G077TJ03 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA12 , 4K030LA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-111934 Applicant：株式会社トクヤマ

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