アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005111934
Publication number (International publication number)：2006290662
Application date： Apr. 08, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法において欠陥の少ない良好なアルミニウム系III族窒化物結晶を製造するためには、表面吸着種の表面拡散を促すために高温が必要である。しかし、装置構造によっては高温の発現が困難であった。また、HVPEに特有の腐食性雰囲気下では反応部材の耐食性が、結晶への不純物混入の観点から問題となる。【解決手段】ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域の加熱支持台上に保持された基板を加熱しながら当該基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該加熱支持台が窒化アルミニウムからなり且つ発熱抵抗体を内蔵した加熱支持台を用いる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域の加熱支持台上に保持された基板を加熱しながら当該基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、該加熱支持台が窒化アルミニウムからなり且つ発熱抵抗体を内蔵した加熱支持台であることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 25/12 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B25/12 , C23C16/34 , C30B29/38 C , H01L21/205

F-Term (30)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB05 , 4G077EG04 , 4G077EG16 , 4G077HA02 , 4G077TF01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030KA23 , 4K030KA46 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EM02 , 5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-106102 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社

Cited by examiner (5)

Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-106102 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社
耐蝕性部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-058727 Applicant：日本碍子株式会社
ウエハ保持装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-110872 Applicant：京セラ株式会社

Show all

Return to Previous Page