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J-GLOBAL ID：200903078105065137

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ

Inventor：
シェン テン スー

About シェン テン スー

, 
ウェイ-ウェイ サン

About ウェイ-ウェイ サン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152439
Publication number (International publication number)：2003068984
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 外部影響(特に電気的パルス)により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。【解決手段】 下部電極と上部電極とのクロスポイントに対応するビット領域は、互いに交差するように配列された下部電極と上部電極との間に配置されたアクティブ層の一部である。アクティブ層は、電気信号に応答して変化する抵抗性を有し得る材料である。下部電極と上部電極との間を通る電気信号は、ビット領域を通過する。ビット領域では、電気信号に応答して抵抗率を変化させる。
Claim (excerpt)：
a)基板と、b)該基板上に設けられた複数の下部電極と、c)該下部電極上に設けられた複数の上部電極と、d)該複数の上部電極と該複数の下部電極との間に配置された連続的なアクティブ層と、を含む、メモリ構造。
IPC (5)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  G11C 11/15 130 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (5)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/15 112 ,  G11C 11/15 130 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (4)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 特許第6204139号
  • 記憶装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-019560   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-344383
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