薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：渡邊隆 , 志賀正武 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005190561
Publication number (International publication number)：2006196856
Application date： Jun. 29, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極と電気的に連結された半導体層と、ゲート電極をソース及びドレイン電極または半導体層と絶縁する絶縁層と、を備え、半導体層と絶縁層との間に介在されて、半導体層を通じて流れる電子または正孔が絶縁層にトラップされることを防止するためのキャリアブロッキング層を備えることを特徴とする。本発明の薄膜トランジスタは、半導体層と絶縁層との間にキャリアブロッキング層が介在された構造を有しており、半導体層に注入された電子または正孔が絶縁層でトラップされることを防止することによって、ヒステリシス挙動問題点を解決できる。これにより、電荷移動特性のような電気的特性が向上する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、前記ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極と電気的に連結された半導体層と、前記ゲート電極をソース及びドレイン電極または半導体層と絶縁する絶縁層と、前記半導体層と絶縁層との間に介在されて、半導体層を通じて流れる電子または正孔が絶縁層にトラップされることを防止するためのキャリアブロッキング層と、備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/50 , H01L 51/05

FI (5)：

H01L29/78 618E , H05B33/14 A , H01L29/78 618B , H01L29/28 , H01L29/78 626Z

F-Term (32)：

3K007AB17 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 3K007GA04 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社

Cited by examiner (2)

オフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタおよびその使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-555592 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社

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