Pat
J-GLOBAL ID：200903078163531466

半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置

Inventor：
松下 宏

About 松下 宏

, 
光武 邦寛

About 光武 邦寛

, 
牛久 幸広

About 牛久 幸広


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278194
Publication number (International publication number)：2002359266
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 不良パターン並びに予め想定していない不良パターンを高感度に自動検出する不良パターンの検出方法並びに不良パターンの検出装置を提供する。【解決手段】 半導体集積回路の不良パターンを、その対称性あるいは周期性を表す繰り返し単位に重ね合せることにより強調した後、特徴量化して自動検出する。また空間的に偏って存在する不良の偏りの程度を表す特徴量と、予め想定した不良パターンの存在を表す特徴量とを照合することで、予め想定していない不良パターンの存在を自動検出する。また、2個以上の特徴量を成分とするベクトルより構成される数ベクトル空間において、前記数ベクトル空間内に1個の不良モードに対して領域を設定し、前記領域と前記特徴量を成分とするベクトルを照合することにより、前記不良モードの存在を判定するようにしても良い。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハ上に形成された集積回路の不良の位置情報を抽出する第1の工程と、前記位置情報を前記半導体ウェーハ面内の空間的繰り返し単位で重ね合わせる第2の工程と、この重ね合せによって算出されたデータから空間的繰り返し性不良の度合いを示す特徴量を算出する第3の工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の不良検出方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28
FI (3)：
H01L 21/66 A ,  G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 H
F-Term (17)：
2G003AA10 ,  2G003AB00 ,  2G003AG03 ,  2G003AH01 ,  2G003AH05 ,  2G132AA08 ,  2G132AD15 ,  2G132AE23 ,  2G132AF14 ,  2G132AL11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA26 ,  4M106DA14 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM