シリコン窒化膜の製造方法及びその製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小林哲男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004309694
Publication number (International publication number)：2006120992
Application date： Oct. 25, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：

【課題】極めて単純簡素化された手法で電界効果型MOSトランジスタの電気的特性(飽和電流IDSの増大)の向上を図ることを目的とし、1GPa以上の圧縮型歪み応力を特徴とする超圧縮型歪み応力を合有するシリコン窒化膜を製造する方法及び製造装置を提供することを目的としている。【解決手段】発明は、容器内に高密度プラズマ(>5x10E(10)/cm3)を発生させ、100mTorr以下、望ましくは10mTorr以下の真空度(圧力)の雰囲気中にシリコン及び窒素を合有する有機化合物を供給し、成膜温度が200°C〜700°Cの範囲で、膜厚が20nm〜300nmの範囲で膜の合有する圧縮型歪み応力が1GPa以上(1GPaを含む)である超圧縮型歪み応力を合有するシリコン窒化膜の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

容器内に高密度プラズマを発生させ、100mTorr以下の真空度の雰囲気中にシリコン(Si)及び窒素(N)を合有する有機化合物を供給し、成膜温度が200°C〜700°C、膜厚が20nm〜300nmの範囲で膜の合有する圧縮型歪み応力が1GPa以上であること特徴とするシリコン窒化膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L21/318 B , H01L29/78 301F , H01L29/78 619A

F-Term (29)：

5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN39 , 5F140AA00 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140CC08 , 5F140CC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-059971
絶縁性材料および絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-358151 Applicant：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-101111 Applicant：株式会社日立国際電気

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