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J-GLOBAL ID：200903051774000096

絶縁性材料および絶縁膜形成方法

Inventor：
野沢 俊久

About 野沢 俊久

, 
北川 淳一

About 北川 淳一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (5)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358151
Publication number (International publication number)：2004193262
Application date： Dec. 10, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】良好な低い比誘電率示し、且つ、絶縁性材料ないし絶縁膜の形成後に加えられる熱処理等においても良好な安定性を示す絶縁性材料を提供する。【解決手段】絶縁性物質と、該絶縁性物質中に混入された不活性ガス成分とを含む絶縁性材料。該絶縁性材料の比誘電率kmは、絶縁性物質の比誘電率ksと、km<ksの関係を満たす。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁性物質と、該絶縁性物質中に混入された不活性ガス成分とを含む絶縁性材料であって;且つ、 該絶縁性材料の比誘電率kmが、絶縁性物質の比誘電率ksと、km<ksの関係を満たすことを特徴とする絶縁性材料。
IPC (3)：
H01L21/316 ,  C23C16/50 ,  H01L21/768
FI (3)：
H01L21/316 X ,  C23C16/50 ,  H01L21/90 J
F-Term (17)：
4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BC02 ,  5F058BF08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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