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J-GLOBAL ID：200903078248457052

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気感応装置

Inventor： 秋永 広幸 ,  尾嶋 正治 ,  水口 将輝
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  秋永 広幸
Agent (2)： 福田 賢三 (外2名) ,  福田 賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000360215
Publication number (International publication number)：2002164589
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、室温にて大きな磁気抵抗効果を示し、従って磁場にたいする高感度であり、しかも、簡単な製造プロセスで製造でき、また、半導体作製プロセスとの整合性を取り易い磁気抵抗材料で構成された磁気抵抗効果素子を提案し、さらに、この磁気抵抗効果素子を用いた磁気感応装置を提案することである。【解決手段】金属微粒子を半導体基板上に分散し、その金属微粒子を必要に応じて更に半導体あるいは半金属超薄膜キャップ層で覆った構造において、そのグラニュラー薄膜の抵抗が磁場の印加により変化することを用いるもので、磁気抵抗効果素子に関しており、複数の孤立した100μm以下の金属微粒子が設けられた表面を持つ半導体領域と、上記の表面にそれぞれ離間して設けられた複数の電極と、該複数の電極と電気的に接続された複数の半導体領域あるいは半金属領域と、を含むことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

1μm以下の間隔で離れて孤立した複数の100μm以下の金属微粒子が設けられた表面を持つ半導体領域と、上記の表面にそれぞれ離間して設けられた複数の電極と、該複数の電極と電気的に接続された複数の半導体領域あるいは半金属領域と、を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 S ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R

F-Term (9)：

2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA16 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気抵抗効果薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-204443   Applicant：工業技術院長, 秋永広幸, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
• 光変調磁性半導体およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-282835   Applicant：財団法人理工学振興会

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-204443   Applicant：工業技術院長, 秋永広幸, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
• 光変調磁性半導体およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-282835   Applicant：財団法人理工学振興会