III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005127730
Publication number (International publication number)：2006310362
Application date： Apr. 26, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】効率よくIII族窒化物結晶に平滑で加工変質層が薄い良品質の表面を形成するIII族窒化物結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】 III族窒化物結晶1の表面をポリシングするIII族窒化物結晶の表面処理方法であって、ポリシングに用いられるポリシング液17のpHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが、y≧-50x+1000(式(1))およびy≦-50x+1900(式(2))のいずれもの関係を満たすことを特徴とするIII族窒化物結晶の表面処理方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

III族窒化物結晶の表面をポリシングするIII族窒化物結晶の表面処理方法であって、前記ポリシングに用いられるポリシング液のpHの値xと酸化還元電位の値y(mV)とが、以下の式(1)および式(2)のいずれもの関係を満たすことを特徴とするIII族窒化物結晶の表面処理方法。 y≧-50x+1000 ・・・(1) y≦-50x+1900 ・・・(2)

IPC (2)：

H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (2)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H

F-Term (5)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-138667 Applicant：松下電器産業株式会社
米国特許第6596079号明細書
米国特許第6488767号明細書

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Cited by examiner (2)

3族窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-214003 Applicant：豊田合成株式会社
多波長発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-375326 Applicant：三菱電線工業株式会社

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