窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000138667
Publication number (International publication number)：2001322899
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Nov. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】ピットの少ない、表面平坦性のすぐれた窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】粒径が非常に小さい砥粒を用いて、研磨速度を徐々に遅くしながら窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面を研磨することにより、表面のピットおよびスクラッチラインを低減する。また、研磨後の窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をRIEを用いて、低いエッチングレートでエッチングして表面ダメージ層を除去することにより、研磨後のすぐれた表面平坦性を維持した状態で、窒化ガリウム系化合物半導体基板表面の結晶性を改善する。

Claim (excerpt)：

表面が平滑に研磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、その表面の深さが20Å以上のスクラッチラインの線密度が105本/cm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。

IPC (8)：

C30B 29/38 , B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (8)：

C30B 29/38 D , B24B 37/00 K , B24B 37/04 G , H01L 21/304 621 C , H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 C , H01L 33/00 C , H01S 5/323

F-Term (25)：

3C058AA07 , 3C058BA02 , 3C058BA04 , 3C058BA09 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077FG02 , 4G077FG12 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F073CA02 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082778 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-149531 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Final polishing of Ga-polar GaN substrates using reactive ion etching

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