Pat
J-GLOBAL ID：200903078313472358

窒化物半導体の成長方法及びそれを用いた素子

Inventor：
高曽根 徹

About 高曽根 徹


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001077001
Publication number (International publication number)：2002280308
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体の貫通転位を減らし、素子構造内、対向電極配置の素子構造に用いることができる窒化物半導体の成長方法を得る。【解決手段】 第1の窒化物半導体11表面に、選択的に第1の表面1と、該第1の表面1よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第2の表面2とを形成する工程と、該工程の後、第1の窒化物半導体11の第1の表面1及び第2の表面2に第2の窒化物半導体12を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。これにより、第2の表面2からの成長が第1の表面1の成長に覆うように成長して、欠陥密度を低減させることができる。
Claim (excerpt)：
第1の窒化物半導体表面に、選択的に第1の表面と、該第1の表面よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第2の表面とを形成する工程と、該工程の後、第1の窒化物半導体の第1の表面及び第2の表面に第2の窒化物半導体を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
F-Term (51)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045EE14 ,  5F045HA16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM