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J-GLOBAL ID：200903051448318400

III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法

Inventor：
手銭 雄太

About 手銭 雄太


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000071350
Publication number (International publication number)：2001267242
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】貫通転位の少ない領域を有するIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】サファイア基板1を幅10μm、間隔10μm、深さ10μmのストライプ状にエッチングする。次にAlNのバッファ層2を約40nmの厚さに基板1の段差の主に上段面と底面に形成する。次に、縦及び横方向エピタキシャル成長によりGaN層3を形成する。この時、主に段差の上段面に形成されたバッファ層21からの横方向エピタキシャル成長により段差が覆われ、表面が平坦となる。GaN層3の、基板1の深さ10μmの段差の底面上方に形成された部分は、段差の上段面上方に形成された部分に比して貫通転位が著しく抑えられる。
Claim (excerpt)：
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、前記基板表面の少なくとも一部を削り、前記基板面に段差を設ける工程と、前記基板の、削られなかった表面に点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成された上面を核として、所望のIII族窒化物系化合物半導体を、前記基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (39)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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