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J-GLOBAL ID：200903078361773254

半導体素子とその配線形成方法

Inventor：
阿部 一英

About 阿部 一英


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307835
Publication number (International publication number)：1998150039
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 配線のEM耐性の向上を図る。【解決手段】 (Α)で、下地基板71に表面に凹凸のあるTEOS/Ο3 -SiΟ2 膜77を形成してからコンタクトホール79を形成し、この上にTi薄膜803、TiN薄膜805を形成し、さらにCu薄膜1005Xを形成する。TiN薄膜805の表面は、SiO2 膜77の表面凹凸を反映して粗面となる。次に(B)で、大気中において熱処理を施して、Cu薄膜1005Xの表層面にCu酸化物層1007を形成する。Cuの酸化はCu薄膜の深さ方向に対して不均一に進む。次に(C)で、希フッ酸処理によってCu酸化物層1007を除去し、凹凸表面のCu薄膜1005Yを形成する。最後に(D)で、TiN膜1011を形成してから、パターニングを行い、上下界面を粗面とするCu配線1005を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板を含む下地基板に、粗表面を有する下層膜と、配線材料とを積層形成してなる配線を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 配線構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184562   Applicant：日本電気株式会社
  • 配線形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028267   Applicant：日本電気株式会社
  • 銅の堆積方法および接着性導電体界面
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-198990   Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
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