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J-GLOBAL ID:200903078370246941
半導体パッケージ、半導体パッケージの実装構造及び半導体パッケージの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000169873
Publication number (International publication number):2001352021
Application date: Jun. 07, 2000
Publication date: Dec. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】 薄型化を損なうことなく高い放熱効果が得られる半導体パッケージを提供する。【解決手段】 開口部1aを有すると共に表面に配線4を設けてなる基板1と、開口部1aを塞ぐ状態で基板1の表面に対向して設けられ、バンプ7を介して開口部1a周囲の配線4に対して電気的に接続された半導体チップ2と、開口部1a内にはめ込まれ、樹脂10を介して半導体チップ2の表面側に貼り付けられた放熱板3とを備えた半導体パッケージである。放熱板3は、半導体チップ2の線膨張率と同程度の線膨張率を有する材質からなる。
Claim (excerpt):
開口部を有すると共に表面に配線を設けてなる基板と、前記開口部を塞ぐ状態で前記基板の表面に対向して設けられ、バンプを介して当該開口部周囲の前記配線に対して電気的に接続された半導体チップと、前記開口部内にはめ込まれ、樹脂を介して前記半導体チップの表面側に貼り付けられた放熱板とを備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (4):
H01L 23/36
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12
, H01L 23/28
FI (4):
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/36 Z
, H01L 23/12 L
F-Term (12):
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA04
, 4M109DB02
, 4M109GA05
, 5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BE01
, 5F044KK01
, 5F044QQ01
, 5F044RR10
, 5F044RR18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-116509
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-006740
Applicant:株式会社東芝
-
プリント基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-181486
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
-
半導体パッケージ用放熱板一体型補強板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-100380
Applicant:住友金属鉱山株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-133699
Applicant:日本電気株式会社
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