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J-GLOBAL ID：200903078394448294

高感度磁場センサー

Inventor：
平田 和人

About 平田 和人

, 
大井 修一

About 大井 修一

, 
茂筑 高士

About 茂筑 高士


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015077
Publication number (International publication number)：2003218414
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高磁場領域での微弱な磁場の変化の観測が可能な高感度磁場センサーを提供する。【解決手段】 ビスマス2212系酸化物高温超伝導体単結晶(1)によるジョセフソン接合部(2)を有し、ジョセフソン接合面に垂直に電流を流し、且つジョセフソン接合面にほぼ平行に磁場を印加することにより生じるジョセフソン磁束線フロー抵抗の周期的な変動に基づく高感度磁場センサーであって、予め測定して求めておいたジョセフソン磁束線フロー抵抗-磁場曲線と電流を流した状態で測定した抵抗の値から、対応する磁場を検知する高感度磁場センサーとする。
Claim (excerpt)：
超伝導体によるジョセフソン接合部を有し、ジョセフソン接合面に垂直に電流を流し、且つジョセフソン接合面にほぼ平行に磁場を印加することにより生じるジョセフソン磁束線フロー電圧の周期的な変動に基づく高感度磁場センサーであって、予め測定して求めておいたジョセフソン磁束線フロー電圧-磁場曲線と電流を流した状態で測定した電圧の値から、対応する磁場を検知するようにしたことを特徴とする高感度磁場センサー。
IPC (4)：
H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  G01R 33/035 ,  H01L 43/00
FI (4)：
H01L 39/22 ZAA D ,  H01L 39/22 A ,  G01R 33/035 ,  H01L 43/00
F-Term (11)：
2G017AA01 ,  2G017AD31 ,  2G017AD69 ,  4M113AA01 ,  4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA26 ,  4M113AC23 ,  4M113AC46 ,  4M113BC04 ,  4M113CA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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