パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996167810
Publication number (International publication number)：1998010752
Application date： Jun. 27, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】高密度の半導体素子の微細加工に適し、解像力に優れ、かつ、微細加工プロセスの全ドライ化を実現する酸素プラズマによって現像可能なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】脂肪族化合物を含有する感光性組成物からなるレジスト膜を基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を施す工程と、前記パターン露光後のレジスト膜にシリル化処理を施す工程と、前記シリル化処理が施されたレジスト膜にドライ現像を行なう工程を具備する。

Claim (excerpt)：

脂肪族化合物を含有する感光性組成物からなるレジスト膜を基板上に形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を施す工程と、前記パターン露光後のレジスト膜にシリル化処理を施す工程と、前記シリル化処理が施されたレジスト膜にドライ現像を行なう工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/36 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/36 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 568

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-222520 Applicant：日本ペイント株式会社
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-159902 Applicant：日本ペイント株式会社
特開平2-262150

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