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J-GLOBAL ID:200903078470252876

配線基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999019760
Publication number (International publication number):2000223804
Application date: Jan. 28, 1999
Publication date: Aug. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】樹脂フィルムがウェットブラストや液体ホーニング等のウェット処理による粗面化工程や、フォトレジストのパターン化工程、金属層のめっき工程等のウェット処理工程で、吸湿または吸液して導体パターン等に乱れを生じない配線基板を提供する。【解決手段】 熱膨張係数が5〜20×10-6/°C、水蒸気透過率が1g・20μ/m2・day以下、吸水率が0.1%以下、融点が260°C以上である樹脂フィルム1を、ウェットブラスト処理または液体ホーニング処理により粗面化し、その粗面化された面に直接めっき法で導体層2を形成し、導体層2の表面に金めっき層3を形成するとともに、樹脂フィルム1にバイアホール5を形成して露出した導体層2に金めっき層6を形成した配線基板およびその製造方法。
Claim (excerpt):
熱膨張係数が5〜20×10-6/°C、水蒸気透過率が1g・20μ/m2・day以下、吸水率が0.1%以下、融点が260°C以上である樹脂フィルムと導体層とが接着剤を介することなく直接一体化されていることを特徴とする配線基板。
IPC (3):
H05K 1/03 610 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/38
FI (3):
H05K 1/03 610 G ,  H05K 3/38 A ,  H01L 23/14 R
F-Term (9):
5E343AA16 ,  5E343AA33 ,  5E343BB24 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE33 ,  5E343ER18 ,  5E343ER25 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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