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J-GLOBAL ID：200903078493215463

半導体装置

Inventor：
平野 有一

About 平野 有一


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006109713
Publication number (International publication number)：2007287718
Application date： Apr. 12, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】キンクの発生や、動作耐圧の低下を防止するとともに、動作特性にばらつきを生じないSOI基板上に形成される半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極5は、そのゲート幅方向の両端部が活性領域から平面視的に突出するように配設されている。そして、当該両端部の下部に対応するSOI基板SBの表面内には部分トレンチ分離絶縁膜8が配設され、ゲート電極5のゲート幅方向両端部外方のSOI基板SBの表面内には、それぞれ部分トレンチ分離絶縁膜8に隣接してボディコンタクト領域21が配設されている。ボディコンタクト領域21とボディ領域とは、部分トレンチ分離絶縁膜8下のSOI層(ウエル領域)を介して電気的に繋がる。また、ソース領域31の表面内には、ゲート電極5のゲート幅方向のほぼ中央部近傍に、P型の不純物が比較的高濃度に導入されたソースタイ領域4が配設されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板、前記半導体基板上に形成された埋め込み酸化膜および前記埋め込み酸化膜上に配設された第1導電型のSOI層を有するSOI基板と、 前記SOI層上に配設される少なくとも1つのMOSトランジスタとを備え、 前記少なくとも1つのMOSトランジスタは、 前記SOI層の表面内に選択的に配設された第2導電型の第1の電極領域および第2の電極領域と、 前記第1の電極領域と前記第2の電極領域とで挟まれた前記SOI層の領域に相当する第1導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域上に配設されるゲート電極と、 前記第1の電極領域、前記第2の電極領域および前記ボディ領域で構成される活性領域の周辺領域のうち、前記ゲート電極のゲート幅方向の両端部のうち少なくとも一方の端部の下部に対応する前記SOI層表面内に選択的に配設された部分分離絶縁膜と、 前記部分分離絶縁膜に隣接するように、前記SOI層の表面内に配設された半導体領域と、 前記ゲート電極近傍の前記第1の電極領域の表面内に選択的に配設され、前記ボディ領域に電気的に接続される第1導電型の少なくとも1つの電極領域内半導体領域と、を備え、 前記部分分離絶縁膜は、その下部に前記ボディ領域から連続する前記SOI層を有し、 前記半導体領域は、前記部分分離絶縁膜下の前記SOI層に接触し、 前記活性領域の周辺領域のうち、部分分離絶縁膜の配設領域以外の領域は、前記SOI層を貫通して前記埋め込み酸化膜に達する完全分離絶縁膜で囲まれる、半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (4)：
H01L29/78 626B ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321B
F-Term (53)：
5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA15 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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