プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268201
Publication number (International publication number)：1995106311
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】被処理体の処理範囲の全面に渡って同一状態のプラズマを部分的に作用し、被処理体のプラズマ処理の均一性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】気密に構成された処理室2内に被処理体Wを載置台4に載置し、プラズマを発生させ前記被処理体Wを処理するプラズマ処理装置1において、前記載置台4と対向して配置され、前記被処理体Wに部分的にプラズマを作用するための局所プラズマ発生手段31と、この局所プラズマ発生手段31と前記載置台4とを相対的に移動させる移動手段41とを備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

気密に構成された処理室内に被処理体を載置台に載置し、プラズマを発生させ前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記載置台と対向して配置され、前記被処理体に部分的にプラズマを作用するための局所プラズマ発生手段と、この局所プラズマ発生手段と前記載置台とを相対的に移動させる移動手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/68 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124250 Applicant：セイコーエプソン株式会社
基体および薄膜の表面の正確な成形のためのプラズマエッチング領域の閉込め方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-333308 Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
特開平2-114525

Show all

Return to Previous Page