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J-GLOBAL ID：200903078547583935

半導体デバイスおよび電極形成方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001121730
Publication number (International publication number)：2002319593
Application date： Apr. 19, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体デバイスの作成工程での熱処理による不要な合金化等の問題を回避した構造の電極を備えた半導体デバイスとその電極作成方法を提供すること。【解決手段】 半導体層(n型GaN層15)との電気的接続を果たす電極22および23を、アルミニウム、金の順に、アルミニウムと金の厚さの比が3:1またはアルミニウムの比が3以上となるように形成する。
Claim (excerpt)：
半導体層との電気的接続を果たす電極が、前記半導体層上にアルミニウム、金の順に積層されるとともに前記アルミニウムと金の厚さの比が3:1またはアルミニウムの比を3以上とした構造で形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/812
FI (2)：
H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F
F-Term (45)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB24 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  5F102FA02 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT10 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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