半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998334574
Publication number (International publication number)：2000164928
Application date： Nov. 25, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】良好なオーミック特性がえられ、信頼性も改善された半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 p型コンタクト層と接触するコンタクト金属として、銀、または、銀と金との混合物のいずれかを用いることにより、p型コンタクト層とのオーミック接触を大幅に改善することができる。また、素子のn側において、n側コンタクト金属層の上にタングステン層を設けることにより、バリア効果を維持しつつ、オーミック接触を改善することができる。さらに、p側コンタクト電極層を形成した後に還元性雰囲気で熱処理を施すことによりオーミック接触を改善することができる。

Claim (excerpt)：

p型の窒化物系半導体からなる第1の層と、n型の窒化物系半導体からなる第2の層と、前記第1の層に接触して設けられたp側電極と、前記第2の層に接触して設けられたn側電極と、を備え、前記p側電極は、前記第1の層に接触して設けられ銀(Ag)を含有するコンタクト層と、前記コンタクト層の上に設けられたタングステン(W)からなる層と、を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H

F-Term (23)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA21 , 5F041CA02 , 5F041CA03 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022196 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118227 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (9)

窒化物半導体素子及びその製造方法
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