リ-ドフレ-ムとその製造方法、およびそれを用いた半導体パッケ-ジ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999324543
Publication number (International publication number)：2000156452
Application date： May. 30, 1991
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】リードフレームの封止樹脂との密着性を向上させる。そのようなリードフレームを用いることによって、半導体パッケージの信頼性を高める。【解決手段】分散粒子2を含有するCu基合金1aからなり、分散粒子2の一部が表面に現出して分布しているリードフレーム母体1と、このリードフレーム母体1の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層3とを具備するリードフレームであって、層3中には分散粒子2の酸化物が分布している。あるいは、Pの含有量が30ppm 以下のCu基合金からなるリードフレーム母体と、このリードフレーム母体の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層とを具備するリードフレームである。半導体パッケージは、このようなリードフレームを具備する。

Claim (excerpt)：

分散粒子を含有するCu基合金からなり、前記分散粒子の一部が表面に現出して分布しているリードフレーム母体と、前記リードフレーム母体の表面に形成され、実質的に酸化銅(II)からなる略均一な層と、前記層中に分布している前記分散粒子の酸化物とを具備することを特徴とするリードフレーム。

IPC (2)：

H01L 23/50 , C22C 9/00

FI (2)：

H01L 23/50 V , C22C 9/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平2-118037
特開平2-122035
特開平2-122039

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