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J-GLOBAL ID：200903078573802530

半導体レーザ

Inventor：
木戸口 勲

About 木戸口 勲

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大仲 清司

About 大仲 清司

, 
足立 秀人

About 足立 秀人


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067128
Publication number (International publication number)：1995094829
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関し、クラッド層と活性層の間に特殊な構造を作製することで電子のオーバー・フローを抑制し、良好な特性で、温度安定性の高い半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介して(Al0.15Ga0.85)0.51In0.49P活性層4をn-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49Pクラッド層3およびp-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49Pクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有し、(Al0.15Ga0.85)0.51In0.49P活性層4とp-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49Pクラッド層5の間に、(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49Pバリア層20と(Al0.15Ga0.85)0.51In0.49Pウエル層21から成る薄膜多層構造6を有し、薄膜多層構造を構成する各層の一部の厚さが活性層から離れるに従って減少している。
Claim (excerpt)：
活性層、該活性層を挟む一対のクラッド層、及び、該一対のクラッド層の一方と該活性層との間に設けられた薄膜多層構造、を備えた半導体レーザであって、該薄膜多層構造は、バリア層と、該バリア層の禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有するウェル層とが交互に積層された構造を含み、それによって、該活性層からオーバフローしたキャリアを該活性層に反射する機能を有しており、該薄膜多層構造において、該バリア層及び該ウェル層の少なくとも一方の層の厚さが、該活性層からの距離に依存して変化している、半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-114486
  • 特開昭64-007587
  • 特開昭63-046788
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